一、材料選擇與預處理

1. 原材料預處理

去除表面污染：

機械加工后的金屬試片用丙酮、乙醇超聲清洗 10-15 分鐘，去除油污和切削液。

半導體材料需用 “RCA 標準清洗法”（H?O? NH?OH H?O 混合液）去除硅片表面的有機物和金屬離子。

消除應力與組織缺陷：

金屬試片可通過退火處理（如不銹鋼在 800℃退火 1 小時）消除加工應力，改善晶粒均勻性。

二、成型與切割工藝

1. 尺寸與形狀設計

典型規格：

圓形：直徑 5-20mm，厚度 1-3mm（便于封裝和電極引線焊接）。

方形：10mm×10mm×2mm（適用于表面形貌表征或大面積測試）。

特殊需求：

研究邊緣效應時，可加工成帶凹槽或臺階的試片；電化學阻抗譜（EIS）測試需保證試片表面平整，減少界面電容干擾。